Samsung MZ-V8P2T0BW unidad de estado sólido M.2 2000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe
Part number:
MZ-V8P2T0BW
EAN:
8806090696534
> 2 TB M.2 PCI Express 4.0
> Velocidad de lectura: 7000 MB/s 1000000 IOPS
> Velocidad de escritura: 5100 MB/s 1000000 IOPS
> V-NAND MLC NVMe 1.3c
> Encriptación de hardware 256-bit AES
> Soporte S.M.A.R.T. Soporte TRIM
> Componente para: PC/ordenador portátil
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195,80 €
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Disponibilidad:
11-20
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Descripción
Samsung MZ-V8P2T0BW. SDD, capacidad: 2 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7000 MB/s, Velocidad de escritura: 5100 MB/s, Componente para: PC/ordenador portátil
Multimedia
Manual (PDF):
Especificación
Características
Versión NVMe
1.3c
Algoritmos de seguridad soportados
256-bit AES
SDD, capacidad
2 TB
Factor de forma de disco SSD
M.2
Interfaz
PCI Express 4.0
NVMe
Si
Tipo de memoria
V-NAND MLC
Componente para
PC/ordenador portátil
Encriptación de hardware
Si
Velocidad de lectura
7000 MB/s
Velocidad de escritura
5100 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)
1000000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)
1000000 IOPS
Carriles datos de interfaz PCI Express
x4
Soporte TRIM
Si
Soporte S.M.A.R.T.
Si
Tiempo medio entre fallos
1500000 h
Control de energía
Voltaje de operación
3,3 V
Consumo de energía (max)
7,2 W
Consumo de energía (promedio)
6,1 W
Consumo de energía (inactivo)
0,035 W
Peso y dimensiones
Ancho
80,2 mm
Profundidad
2,38 mm
Altura
22,1 mm
Peso
9 g
Empaquetado
Tipo de embalaje
Caja
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa
0 - 70 °C
Máxima temperatura
70 °C
Temperatura mínima de operación
0 °C
Golpes en funcionamiento
1500 G
Datos logísticos
Código de Sistema de Armomización (SA)
84717070
SKU:
1624948
